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2SK3479
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
25
20
15
Pulsed
V GS = 4.5 V
10 V
1000
100
10
Pulsed
V GS = 10 V
0V
10
5
1
0
? 50
0
50
100
I D = 42 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ? C
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V SD - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
100000
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
1000
100
t f
t d(off)
t d(on)
1000
C oss
10
V DD = 50 V
t r
R G = 0 ?
100
0.1
1
10
C rss
100
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
160
16
V GS = 0 V
100
120
V DD = 80 V
12
80
50 V
20 V
V GS
8
10
40
V DS
I D = 83 A
4
1
0.1
1.0
10
100
0
50
100
150
200
0
250
I F - Drain Current - A
Data Sheet D15077EJ1V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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